{"id":4580,"date":"2021-12-04T22:42:15","date_gmt":"2021-12-04T22:42:15","guid":{"rendered":"https:\/\/diferenciario.com\/br\/semicondutor-intrnseco-e-semicondutor-extrnseco\/"},"modified":"2021-12-04T22:42:15","modified_gmt":"2021-12-04T22:42:15","slug":"semicondutor-intrnseco-e-semicondutor-extrnseco","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/diferenciario.com\/br\/semicondutor-intrnseco-e-semicondutor-extrnseco\/","title":{"rendered":"Diferen\u00e7a entre semicondutor intr\u00ednseco e semicondutor extr\u00ednseco"},"content":{"rendered":"

\"Diferen\u00e7a<\/p>\n

\n

Principal diferen\u00e7a<\/h2>\n

A principal diferen\u00e7a entre semicondutor intr\u00ednseco e semicondutor extr\u00ednseco \u00e9 que o semicondutor intr\u00ednseco \u00e9 o tipo puro de semicondutor, enquanto o semicondutor extr\u00ednseco inclui impurezas.<\/p>\n

Semicondutor intr\u00ednseco vs. Semicondutor extr\u00ednseco<\/h2>\n

Um semicondutor intr\u00ednseco \u00e9 reconhecido como o tipo mais puro de semicondutor. Por outro lado, quando impurezas s\u00e3o adicionadas em pequenas quantidades no semicondutor, o semicondutor \u00e9 conhecido como semicondutor extr\u00ednseco; Devido \u00e0 adi\u00e7\u00e3o de impurezas em semicondutores extr\u00ednsecos, eles t\u00eam melhor condutividade do que os semicondutores intr\u00ednsecos.<\/p>\n

Os semicondutores intr\u00ednsecos tamb\u00e9m podem ser reconhecidos como semicondutores do tipo io ou semicondutores n\u00e3o dopados. Por outro lado, o semicondutor extr\u00ednseco tamb\u00e9m \u00e9 reconhecido como um semicondutor dopado. Um semicondutor intr\u00ednseco n\u00e3o se divide em nenhum tipo, enquanto; Os semicondutores extr\u00ednsecos s\u00e3o divididos em semicondutores do tipo p e semicondutores do tipo n.<\/p>\n

Nos semicondutores intr\u00ednsecos, os el\u00e9trons presentes na banda de condu\u00e7\u00e3o e os buracos presentes na banda de val\u00eancia s\u00e3o iguais em n\u00famero. Por outro lado, el\u00e9trons e buracos n\u00e3o s\u00e3o iguais em n\u00famero em semicondutores extr\u00ednsecos; os el\u00e9trons s\u00e3o a maioria em um semicondutor tipo n, e as lacunas s\u00e3o a maioria em um semicondutor tipo p.<\/p>\n

Em semicondutores intr\u00ednsecos, o centro da lacuna de energia proibida tem o n\u00edvel de energia de Fermi. Por outro lado, no semicondutor extr\u00ednseco tipo n, o n\u00edvel de Fermi est\u00e1 presente pr\u00f3ximo ao fundo da banda de condu\u00e7\u00e3o, enquanto no semicondutor extr\u00ednseco tipo p est\u00e1 pr\u00f3ximo ao topo da base de val\u00eancia.<\/p>\n

Em semicondutores intr\u00ednsecos, h\u00e1 um pequeno intervalo entre a banda de val\u00eancia e a condu\u00e7\u00e3o. Por outro lado, o semicondutor extr\u00ednseco tem um gap de energia maior do que o semicondutor intr\u00ednseco. A condu\u00e7\u00e3o de semicondutores intr\u00ednsecos depende da temperatura, enquanto a condu\u00e7\u00e3o de semicondutores extr\u00ednsecos depende da temperatura e concentra\u00e7\u00e3o da impureza dopada.<\/p>\n

Exemplos de semicondutores intr\u00ednsecos s\u00e3o Si e Ge etc. Por outro lado, exemplos de semicondutores extr\u00ednsecos s\u00e3o GaAs, GaP, etc.<\/p>\n

Quadro comparativo<\/h2>\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
semicondutor intr\u00ednseco<\/strong><\/td>\nsemicondutor extr\u00ednseco<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Um semicondutor puro sem quaisquer elementos de dopagem presentes nele \u00e9 conhecido como semicondutor intr\u00ednseco.<\/td>\nUm semicondutor que foi dopado com quaisquer oligoelementos ou agentes dopantes durante sua fabrica\u00e7\u00e3o \u00e9 conhecido como semicondutor extr\u00ednseco.<\/td>\n<\/tr>\n
Tamb\u00e9m conhecido como<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Os semicondutores intr\u00ednsecos tamb\u00e9m s\u00e3o reconhecidos como semicondutores do tipo io ou semicondutores n\u00e3o dopados.<\/td>\nO semicondutor extr\u00ednseco tamb\u00e9m \u00e9 chamado de semicondutor dopado.<\/td>\n<\/tr>\n
Condutividade<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Os semicondutores intr\u00ednsecos t\u00eam baixa condutividade.<\/td>\nOs semicondutores extr\u00ednsecos t\u00eam melhor condutividade devido \u00e0 adi\u00e7\u00e3o de impurezas neles.<\/td>\n<\/tr>\n
Tipos<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Esses semicondutores n\u00e3o s\u00e3o divididos em nenhum tipo.<\/td>\nOs semicondutores extr\u00ednsecos s\u00e3o divididos em semicondutores do tipo p e semicondutores do tipo n.<\/td>\n<\/tr>\n
N\u00edvel de energia de Fermi<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Em tais semicondutores, o centro da lacuna de energia proibida mostra o n\u00edvel de energia de Fermi.<\/td>\nEm um semicondutor extr\u00ednseco do tipo n, o n\u00edvel de Fermi est\u00e1 presente pr\u00f3ximo ao fundo da banda de condu\u00e7\u00e3o, enquanto est\u00e1 pr\u00f3ximo ao topo da base de val\u00eancia no tipo p.<\/td>\n<\/tr>\n
intervalo de banda<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
H\u00e1 uma pequena lacuna entre a banda de val\u00eancia e a condu\u00e7\u00e3o.<\/td>\nEste tipo de semicondutor tem uma lacuna de energia maior.<\/td>\n<\/tr>\n
Dirigindo<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
A condu\u00e7\u00e3o de tais semicondutores \u00e9 baseada na temperatura.<\/td>\nSua condu\u00e7\u00e3o \u00e9 baseada na temperatura e concentra\u00e7\u00e3o da impureza dopada.<\/td>\n<\/tr>\n
N\u00famero de el\u00e9trons e buracos<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Aqui, os el\u00e9trons presentes na banda de condu\u00e7\u00e3o e os buracos presentes na banda de val\u00eancia s\u00e3o iguais em n\u00famero.<\/td>\nEl\u00e9trons e buracos n\u00e3o s\u00e3o iguais em n\u00famero em semicondutores extr\u00ednsecos.<\/td>\n<\/tr>\n
exemplos<\/strong><\/td>\n<\/tr>\n
Exemplos de semicondutores intr\u00ednsecos s\u00e3o Si e Ge etc.<\/td>\nExemplos de semicondutores extr\u00ednsecos s\u00e3o GaAs, GaP, etc.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/section>\n
<\/div>\n

O que \u00e9 semicondutor intr\u00ednseco?<\/h2>\n

A palavra \u00abintr\u00ednseco\u00bb significa \u00abpuro\u00bb. Assim, o semicondutor intr\u00ednseco \u00e9 um semicondutor puro sem nenhum elemento de dopagem ou impureza presente nele. Este tipo de semicondutor tamb\u00e9m \u00e9 reconhecido como semicondutor tipo io ou semicondutor n\u00e3o dopado. \u00c9 por isso que o n\u00famero de portadores de carga \u00e9 baseado nas propriedades do material, mas n\u00e3o no n\u00famero de impurezas.<\/p>\n

Nos semicondutores intr\u00ednsecos, os el\u00e9trons presentes na banda de condu\u00e7\u00e3o e os buracos presentes na banda de val\u00eancia s\u00e3o iguais em n\u00famero. Aqui os buracos s\u00e3o denotados p e os el\u00e9trons s\u00e3o denotados n, ent\u00e3o em um semicondutor intr\u00ednseco n = p. Neste tipo de semicondutores, a condutividade el\u00e9trica depende dos defeitos cristalogr\u00e1ficos ou mesmo da excita\u00e7\u00e3o eletr\u00f4nica.<\/p>\n

Em semicondutores intr\u00ednsecos, o centro do gap de energia proibido mostra o n\u00edvel de energia de Fermi. H\u00e1 uma pequena lacuna entre a banda de val\u00eancia e a condu\u00e7\u00e3o. Em baixas temperaturas, os el\u00e9trons n\u00e3o s\u00e3o altamente excitados para atingir um estado de energia mais alto. Assim, os el\u00e9trons permanecem na banda de val\u00eancia sem apresentar nenhum movimento em dire\u00e7\u00e3o \u00e0 banda de condu\u00e7\u00e3o. Com o aumento da temperatura, os el\u00e9trons ficam excitados e atingem a banda de condu\u00e7\u00e3o da banda de val\u00eancia resultando em fluxo de corrente.<\/p>\n

Na tabela peri\u00f3dica, os elementos do grupo IV formam semicondutores intr\u00ednsecos. No entanto, germ\u00e2nio e sil\u00edcio desempenham seu papel como semicondutores intr\u00ednsecos, exigindo apenas uma pequena quantidade de energia para quebrar a liga\u00e7\u00e3o covalente. Tanto o sil\u00edcio quanto o germ\u00e2nio t\u00eam estruturas semelhantes a diamantes. Ambos t\u00eam quatro el\u00e9trons de val\u00eancia. Cada \u00e1tomo liga um de seus el\u00e9trons de val\u00eancia aos quatro \u00e1tomos vizinhos na forma cristalina. Esses pares de el\u00e9trons compartilhados formam uma liga\u00e7\u00e3o de val\u00eancia ou liga\u00e7\u00e3o covalente.<\/p>\n

Com o aumento da temperatura, os el\u00e9trons de val\u00eancia ganham mais energia. Devido a essa energia, eles quebram a liga\u00e7\u00e3o covalente e causam um aumento na condutividade do elemento. Aqui, apenas alguns \u00e1tomos s\u00e3o ionizados pela energia t\u00e9rmica. Essa ioniza\u00e7\u00e3o causa a forma\u00e7\u00e3o de uma vac\u00e2ncia na liga\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Devido \u00e0 energia t\u00e9rmica, quando um el\u00e9tron com carga \u2013q \u00e9 excitado, ele rompe a liga\u00e7\u00e3o causando uma vac\u00e2ncia com carga +q ali. Esta vac\u00e2ncia com carga eletr\u00f4nica positiva atua como um buraco. Esses buracos tamb\u00e9m atuam como part\u00edculas livres, mas com carga positiva. Em semicondutores intr\u00ednsecos ou n\u00e3o dopados, os el\u00e9trons livres s\u00e3o iguais em n\u00famero aos buracos, e esse fen\u00f4meno \u00e9 conhecido como concentra\u00e7\u00e3o de portadores intr\u00ednsecos.<\/p>\n

O que \u00e9 semicondutor extr\u00ednseco?<\/h2>\n

Um semicondutor extr\u00ednseco \u00e9 um tipo de semicondutor que foi dopado com quaisquer oligoelementos ou impurezas durante sua fabrica\u00e7\u00e3o. Os elementos adicionados nele s\u00e3o conhecidos como agentes de dopagem, e esse processo \u00e9 conhecido como agente de dopagem. Portanto, o semicondutor extr\u00ednseco tamb\u00e9m \u00e9 chamado de semicondutor dopado. Tais semicondutores t\u00eam melhor condutividade devido \u00e0 adi\u00e7\u00e3o de impurezas neles. Assim, o n\u00famero de portadores de carga \u00e9 baseado nas propriedades exibidas pelo material e as impurezas adicionadas nele.<\/p>\n

O semicondutor extr\u00ednseco apresenta um gap de energia maior. Sua condu\u00e7\u00e3o \u00e9 baseada na temperatura e concentra\u00e7\u00e3o da impureza dopada. Al\u00e9m disso, el\u00e9trons e buracos n\u00e3o s\u00e3o iguais em n\u00famero em semicondutores extr\u00ednsecos.<\/p>\n

Ao dopar um material, deve-se ter em mente que a quantidade de impureza misturada no material n\u00e3o deve afetar a estrutura de rede do semicondutor. Para chegar a este ponto, o tamanho dos \u00e1tomos semicondutores e do dopante deve ser igual. Por exemplo, cristais de sil\u00edcio e germ\u00e2nio misturam-se com trivalentes (3 val\u00eancias) e pentavalentes (5 val\u00eancias) porque t\u00eam o mesmo tamanho de cristal.<\/p>\n

Tipos<\/h3>\n